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TrenchFET
电源 场效应晶体管
先进的 高 cell 密度 处理
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Si4425BDY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 72000
s-21862—rev. b, 21-oct-02
www.vishay.com
1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.012 @ v
GS
= -10 v
-1 1.4
-30
0.019 @ v
GS
= -4.5 v - 9.1
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-30
门-源 电压 V
GS
20
V
一个
T
一个
= 25
C
- 11.4
-8.8
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
- 9.1 -7.0
搏动 流 电流 I
DM
-50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
-2.1 -1.3
T
一个
= 25
C 2.5 1.5
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.9
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 40 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
70 85
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
15 18
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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