STP75NE75
STP75NE75FP
N - 频道 75V - 0.01
Ω
- 75A 至-220/至-220fp
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.01
Ω
■
EXCEPTIONAL dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
应用 朝向
描绘
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
意法半导体 唯一的 ”Single 特性
大小
” strip-为基础 处理. 这 结果 transi-
贮存 显示 极其 高 包装 密度 f或者 低
在-阻抗, 坚毅的 avalanche 特性
和 较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 re-
markable 制造 reproducibility.
产品
■
SOLENOID 和 接转 驱动器
■
直流 发动机 控制, 音频的 放大器
■
直流-直流 转换器
■
AUTOMOTIVE 环境
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
Symbol Parameter Value Un它
STP75NE75 STP75NE75FP
V
DS
Drain-s我们的ce Voltage (v
GS
=0) 75 V
V
DGR
流- gate 电压 (r
GS
=20k
Ω
)75v
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
C7540A
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
C5328A
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 300 160 一个
P
tot
总的 消耗 在 T
c
=25
o
C 160 50 W
减额 Fact或者 1.06 0.37 W/
o
C
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 V
dv/dt 顶峰 二极管 Recovery 电压 斜度 7 v/ns
T
stg
存储 Temperature -65 至 175
o
C
T
j
最大值. 运算erating Junction Temperature 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
75 一个, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP75NE75
STP75NE75FP
75 V
75 V
<0.013
Ω
<0.013
Ω
75 一个
40 一个
将 1999
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
1/9
: 点此下载
