MRF171A_集成电路资料查询网

典型 特性
图示 9. 流 电流 相比 门 电压
(转移 特性)
V
GS
, gate–source 电压 (伏特)
0.0
2.0
0.5
2.5
1.5
图示 10. 输出 电源 相比 门 电压
0
0
V
GS
, gate–source 电压 (伏特)
45
25
1.0 3.0 5.0
I
D
, 流 电流 (放大器)
–1.0 2.50
P
输出
, 输出 电源 (watts)
3.0
1.0 2.0
图示 11. 电容 相比 drain–source 电压
1000
V
DS
, drain–source 电压 (伏特)
1
30
c, 电容 (pf)
0
10
5
35
15
C
oss
20
2.0
1.0
100
V
DS
= 10 v
典型 设备 显示,
V
gs(th)
= 2.5 v
2.51.5 4.50.5 3.5 4.0
40
20
30
10
0.5–0.5 1.5
P
在
= 常量
V
DD
= 28 v
I
DQ
= 25 毫安
f = 150 mhz
典型 设备 显示,
V
gs(th)
= 2.5 v
51015 25
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
6
rev 2

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

典型特性图示 9. 流电流相比门电压 (转移特性) V GS , gate–source 电压 (伏特) 0.0 2.0 0.5 2.5 1.5 图示 10. 输出电源相比门电压 0 0 V GS , gate–source 电压 (伏特) 45 25 1.0 3.0 5.0 I D , 流电流 (放大器) –1.0 2.50 P 输出 , 输出电源 (watts) 3.0 1.0 2.0 图示 11. 电容相比 drain–source 电压 1000 V DS , drain–source 电压 (伏特) 1 30 c, 电容 (pf) 0 10 5 35 15 C oss 20 2.0 1.0 100 V DS = 10 v 典型设备显示, V gs(th) = 2.5 v 2.51.5 4.50.5 3.5 4.0 40 20 30 10 0.5–0.5 1.5 P 在 = 常量 V DD = 28 v I DQ = 25 毫安 f = 150 mhz 典型设备显示, V gs(th) = 2.5 v 51015 25 C iss C rss V GS = 0 v f = 1 mhz 6 rev 2

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com