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资料编号:95027
 
资料名称:MSM56V16160F
 
文件大小: 2986.76K
   
说明
 
介绍:
2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MSM56V16160F
7/30
模式 设置 地址 keys
cas latency burst 类型 burst 长度
A6 A5 A4 CL A3 BT A2 A1 A0 bt = 0 bt = 1
0 0 0 保留 0 Sequential 0 0 0 1 1
0 0 1 1 1 Interleave 0 0 1 2 2
010 2 010 4 4
011 3 011 8 8
1 0 0 保留 1 0 0 保留 保留
1 0 1 保留 1 0 1 保留 保留
1 1 0 保留 1 1 0 保留 保留
注释: a7, a8, a9, a10 和 a11 应当 停留 “l” 在 模式 设置 循环.
电源 在 sequence
1. 和 输入 在 nop 状态, 转变 在 这 电源 供应 和 开始 这 系统 时钟.
2. 之后 这 v
CC
电压 有 reached 这 指定 水平的, pause 为 200
m
s 或者 更多 和 这 输入 保持
在 nop 状态.
3. 公布 这 precharge 所有 bank command.
4. 应用 一个 cbr 自动-refresh 第八 或者 更多 时间.
5. enter 这 模式 寄存器 设置 command.
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