硅 500 mw 齐纳 二极管
scottsdale 分隔
1n746 thru 1n759a, -1 和
1n4370 thru 1n4372a, -1 做-35
www.
Microsemi
.
COM
电的 characteristics* @ 25
o
C
最大 反转
电流 i
R
@ v
R
= 1 volt
名义上的
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
(便条 2)
齐纳
测试
电流
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
(便条 3)
@25ºC
@+150ºC
最大
齐纳
电流
I
ZM
(便条 4)
典型
温度 coeff.
的 齐纳
电压
α
VZ
电子元件工业联合会
类型 非.
(note1)
伏特 毫安 OHMS
µ
一个
µ
一个
毫安 %/
o
C
1N4370
1N4371
1N4372
2.4
2.7
3.0
20
20
20
30
30
29
100
75
50
200
150
100
150
135
120
-.085
-.080
-.075
1N746
1N747
1N748
3.3
3.6
3.9
20
20
20
28
24
23
10
10
10
30
30
30
110
100
95
-.066
-.058
-.046
1N749
1N750
1N751
1N752
4.3
4.7
5.1
5.6
20
20
20
20
22
19
17
11
2
2
1
1
30
30
20
20
85
75
70
65
-.033
-.015
+/-.010
+.030
1N753
1N754
1N755
1N756
6.2
6.8
7.5
8.2
20
20
20
20
7
5
6
8
.1
.1
.1
.1
20
20
20
20
60
55
50
45
+.049
+.053
+.057
+.060
1N757
1N758
1N759
9.1
10.0
12.0
20
20
20
10
17
30
.1
.1
.1
20
20
20
40
35
30
+.061
+.062
+.062
* 电子元件工业联合会 注册 数据
便条 1:
标准 容忍 在 电子元件工业联合会 类型 显示 是 +/- 10%. 后缀 letter 一个 denotes +/- 5% 容忍; 后缀
letter c denotes +/- 2%; 和 后缀 letter d denotes +/- 1% 容忍.
便条 2:
电压 度量 至 是 执行 20 秒onds 之后 应用 的 直流 测试 电流.
便条 3:
齐纳 阻抗 获得 用 superimposing 在
I
ZT
, 一个 60 cps, rms 交流 电流 equal 至 10%
I
ZT
(2ma 交流). 看 micronote 202 为
典型 齐纳 impedance 变化 和 不同的 运行 电流.
便条 4:
allowance 有 被 制造 为 这 增加 在
V
Z
预定的 至 z
Z
和 为 这 增加 在 接合面 temperature 作 这 单位 approaches
热的 equilibrium 在 这 电源 消耗 的 400 mw.
GRAPHS
1n746 –759a
1n4370 – 4372a (做-35)
评估 电源 消耗 - mw
温度 系数 mv/
o
C
温度 系数 %/ºC
T
L
– 含铅的 温度 (
o
c) 3/8” 从 身体 或者 名义上的 齐纳 电压 (伏特)
T
一个
在 fr4 pc 板
图示 1 图示 2
电源 减额 曲线 齐纳 电压 温度
系数 vs. 齐纳 电压
Microsemi
scottsdale 分隔
8700 e. thomas rd. po 盒 1390, scottsdale, az 85252 usa, (480) 941-6300, fax: (480) 947-1503
页 2
版权
2003
10-31-2003 rev b
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