首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:952728
 
资料名称:2N5031
 
文件大小: 83K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
  浏览型号2N5031的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号2N5031的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2N5031的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
msc1303.pdf 10-25-99
2N5031
电的 规格 (tcase = 25
°
c)
静态的
(止)
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
BVCEO 集电级-发射级 损坏 电压
(ic = 1.0madc, ib = 0) 10 - - Vdc
BVCBO 集电级-根基 损坏 电压
(ic= 0.01madc, ie=0) 15 - - Vdc
BVEBO 发射级-根基 损坏 电压
(ie = 0.01madc, ic = 0) 3.0 - -
Vdc
ICBO 集电级 截止 电流
(vce = 6.0vdc, ie = 0vdc) - 1.0 10 nA
(在)
HFE 直流 电流 增益
(ic = 1.0madc, vce = 6.0vdc) 25 - 300
-
动态
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
f
T
电流-增益 - 带宽 产品
(ic = 5.0madc, vce = 6vdc, f = 100 mhz) 1200 - 2500 MHz
CCB 输出 电容
(ic = 1.0madc, vce = 6vdc, f = 450 mhz)
-
2.5 - dB
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com