2SB1079
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
–100 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
–100 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
–7 V
集电级 电流 I
C
–20 一个
集电级 顶峰 电流 I
c(顶峰)
–30 一个
根基 电流 I
B
–3 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
1
100 W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
便条: 1. 值 在 t
C
= 25
°
c.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
–100 — — V I
C
= –0.1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(brceo
–100 — — V I
C
= –25 毫安, r
是
=
∞
集电级 至 发射级 支持
电压
V
ceo(sus)
–100 — — V I
C
= –200 毫安, r
是
=
∞
*
1
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
–7 — — V I
E
= –50 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — –100
µ
AV
CB
= –100 v, i
E
= 0
I
CEO
— — –1.0 毫安 V
CE
= –80 v, r
是
=
∞
直流 电流 转移 比率 h
FE
1000 — 20000 V
CE
= –3 v, i
C
= –10 a*
1
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)1
— — –2.0 V I
C
= –10 一个, i
B
= –20 ma*
1
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)1
— — –2.5 V
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)2
— — –3.0 V I
C
= –20 一个, i
B
= –200 ma*
1
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)2
— — –3.5 V
转变 在 时间 t
在
— 0.6 —
µ
sI
C
= –10 一个, i
B1
= –i
B2
= –20 毫安
存储 时间 t
stg
— 3.5 —
µ
s
便条: 1. 脉冲波 测试.
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