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资料编号:952912
资料名称:
2SB1079
文件大小: 36K
说明
:
介绍
:
Silicon PNP Triple Diffused
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SB1079
4
饱和 电压 vs.
集电级 电流
ta = 25
°
C
脉冲波
–10
–3
–1.0
–0.3
–0.1
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(v)
–0.03
–0.01
–0.3
集电级 电流 i
C
(一个)
–1.0
–3
–10
–30
V
是(sat)
V
ce(sat)
I
C
/
I
B
= 200
500
500
200
切换 时间 vs. 集电级 电流
切换 时间 t (
µ
s)
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.3
1.0
3
集电级 电流 i
C
(一个)
10
30
t
f
t
在
t
stg
V
CC
= –30v
I
C
= 500/
B1
= –500/
B2
ta = 25
°
C
瞬时 热的 阻抗
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
1.0
10
100
(s)
(ms)
0.1
1.0
10
100
时间 t
热的 阻抗
θ
j-c
(
°
c/w)
T
C
= 25
°
C
1 shot
0.1–100 s
0.1–100 ms
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