2sb1184 / 2sb1243
晶体管
3/3
−
0.01
−
0.05
−
0.1
−
0.02
−
0.5
−
1
−
0.2
−
5
−
10
−
2
1
5
10
2
50
100
20
500
1000
200
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
−
5V
−
3V
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(一个)
图.4 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (
Ι
)
−
0.01
−
0.02
−
0.1
−
0.05
−
0.2
−
1
−
0.5
−
2
−
10
−
5
1
5
10
2
50
100
20
500
1k
200
V
CE
=−
3V
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(一个)
Ta
=
100
°
C
25
°
C
−
25
°
C
图.5 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (
ΙΙ
)
−
0.01
−
0.02
−
0.1
−
0.05
−
0.2
−
1
−
0.5
−
2
−
10
−
5
−
0.01
−
0.02
−
0.05
−
0.1
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 : i
C
(一个)
Ta
=
25
°
C
I
C
/i
B
=
50/1
20/1
10/1
图.6 集电级-发射级 饱和
电压 vs.集电级 电流
集电级 电流 : i
C
(一个)
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
根基 饱和 电压 : v
是(sat)
(v)
−
0.01
−
0.02
−
0.1
−
0.05
−
0.2
−
1
−
0.5
−
2
−
10
−
5
−
0.01
−
0.02
−
0.05
−
0.1
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
l
C
/l
B
=
10
Ta
=−
25
°
C
25
°
C
100
°
C
Ta
=
100
°
C
25
°
C
−
25
°
C
V
是(sat)
V
ce(sat)
图.7 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
根基-发射级 饱和 电压 vs.
集电级 电流
12 105
20 10050 200 1000500
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
发射级 电流 : i
E
(毫安)
转变 频率 : f
T
(mhz)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=−
5V
图.8 增益 带宽 产品 vs.
发射级 电流
集电级 输出 电容 : cob
(pf)
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
−
0.2
−
0.1
−
0.5
−
10
−
5
−
2
−
1
−
50
−
20
−
100
1
20
10
5
2
50
200
100
500
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
图.9 集电级 输出 电容 vs.
集电级 根基 电压
图.10 safe 运作 范围
(2sb1184)
−
0.1
集电级 电流 : i
C
(一个)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
−
0.01
−
0.02
−
0.05
−
0.1
−
0.2
−
0.5
−
1.0
−
2.0
−
5.0
−
10.0
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
Tc
=
25
°
C
∗
单独的
nonrepetitive
脉冲波
100ms
∗
P
W
=
10ms
∗
直流
图.11 safe 运作 范围
(2sb1243)
−
0.1
集电级 电流 : i
C
(一个)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
−
0.01
−
0.02
−
0.05
−
0.1
−
0.2
−
0.5
−
1.0
−
2.0
−
5.0
−
10.0
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
Tc
=
25
°
C
∗
单独的
nonrepetitive
脉冲波
I
c 最大值
. (脉冲波)
∗
P
w
=
10ms
∗
100ms
∗
直流
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