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资料编号：953100
 
资料名称：2SC3611
 
文件大小： 70K
   
说明：
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planar type(For video amplifier)
 
 


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电源 晶体管
202
2SC3611
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
C
T
一个
I
C
V
CE
I
C
V
是
C
ob
V
CB
范围 的 safe 运作 (aso)
0
0 24040 20080 160120
1
2
3
4
5
(1)
(2)
(1)和 一个 100
×
100
×
2mm
al 热温 下沉
(2)没有 热温 下沉
包围的 温度 t
一个
(
˚
C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0
012210486
240
200
160
120
80
40
T
C
=25
˚
C
4.5ma
4.0ma
3.5ma
3.0ma
2.5ma
2.0ma
1.5ma
1.0ma
0.5ma
I
B
=5.0ma
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0
01.00.80.60.40.2
120
100
80
60
40
20
V
CE
=5V
T
C
=100
˚
C
–
25
˚
C
25
˚
C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
13
10 30 100 300
I
C
/i
B
=5
–
25
˚
C
25
˚
C
T
C
=100
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1100.3 3 30 100
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
T
C
=100
˚
C
25
˚
C
–
25
˚
C
V
CE
=5V
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
–
300
–
1000
0
600
500
400
300
200
100
V
CB
=10V
f=200MHz
T
C
=25
˚
C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
0
1
6
5
4
3
2
1
3 10 30 100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25
˚
C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
0.1
0.3
13
1
3
10
30
100
300
1000
10 30 100 300 1000
单独的 脉冲波
T
C
=25
˚
C
t=10ms
t=1s
t=100ms
I
CP
I
C
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
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