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资料编号:953202
 
资料名称:2SC5011-T1
 
文件大小: 52K
   
说明
 
介绍:
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5011
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
总的 电源 消耗 vs.
包围的 temperature
P
T
- 总的 电源 消耗 - mw
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 voltage
I
C
- 集电级 电流 - ma
50
V
- 根基 至 发射级 电压 - v
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 voltage
I
C
- 集电级 电流 - ma
30
V
CE
- 集电级 至 发射级 电压 - v
直流 电流 增益 vs.
集电级 current
h
FE
- 直流 电流 gain
I
C
- 集电级 电流 - ma
增益 带宽 产品 vs.
集电级 current
f
T
- 增益 带宽 产品 - ghz
I
C
- 集电级 电流 - ma
嵌入 增益 vs.
集电级 current
|S
21e
|
2
- 嵌入 增益 - db
1
I
C
- 集电级 电流 - ma
200
100
50 100 1500 0.5 1.00
40
30
20
10
V
CE
= 10 v
20
10
5 10 150
500
200
1
100
10
20
50
5 10 50 100
V
CE
= 10 v
10
1
0
5
5 10 50 100
V
CE
= 10 v
f = 1 ghz
20
0
10
5 10 50 100
V
CE
= 10 v
f = 1 ghz
A
µ
180
A
µ
160
A
µ
140
A
µ
120
A
µ
100
A
µ
80
A
µ
40
A
µ
20
A
µ
I
B
=
200
60
A
µ
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