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资料编号:953205
 
资料名称:2SC5015-T2
 
文件大小: 51K
   
说明
 
介绍:
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5015
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
200
100
0 50 100 150
T
一个
- ambinet temperatute - ˚c
P
T
- 总的 电源 消耗 - mw
总的 电源 dissipation
vs. 包围的 温度
40
0 0.5 1.0
V
- 根基 至 发射级 voltafe - v
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
集电级 电流 vs. 
根基 至 发射级 电压
50
30
20
10
V
CE
= 3 v
30
024 8
V
CE
- 集电级 至 发射级 电压 - v
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
12 50
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
h
FE
- 直流 电流 增益
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
500
V
CE
= 3 v
22050
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
f
T
- 增益 带宽 产品 - ghz
增益 带宽 product
vs. 集电级 电流
20
10
6
I
B
= 200 一个
180 一个
160 一个
140 一个
120 一个
100 一个
80 一个
60 一个
40 一个
20 一个
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
| s
21a
|
2
- 嵌入 电源 增益 - db
嵌入 电源 增益 vs.
集电级 电流
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
200
100
50
20
10
51020
14
12
10
8
6
4
2
0
1 5 10 2 20 50
12
0
1510
10
8
6
4
2
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