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资料编号:953289
 
资料名称:2SD1211
 
文件大小: 37K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
 
 


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  浏览型号2SD1211的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
晶体管
P
C
— ta I
C
— v
CE
V
ce(sat)
— i
C
V
是(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
范围 的 safe 运作 (aso)
0 16040 12080 14020 10060
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012108264
0
200
160
120
80
40
Ta=25˚C
0.2ma
0.1ma
0.3ma
0.4ma
0.5ma
0.6ma
0.7ma
0.8ma
0.9ma
I
B
=1.0ma
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
25˚C
–25˚C
Ta=75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=–25˚C
25˚C
75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0
600
500
400
300
200
100
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
I
C
/i
B
=10
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –3 –10 –30 –100
0
400
300
100
250
350
200
50
150
V
CB
=10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
80
60
20
50
70
40
10
30
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
1 10 100 10003 30 300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
单独的 脉冲波
Ta=25˚C
t=10ms
t=1s
I
CP
I
C
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
2SD1211
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