2
晶体管
2SD1280
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— v
ce(sat)
I
C
— i
B
V
ce(sat)
— i
C
V
是(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
打印 circut 板: 铜
foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和
这 板 厚度 的 1.7mm
为 这 集电级 portion.
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 2.01.60.4 1.20.8
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25˚C
I
B
=5.0ma
4.5ma
4.0ma
3.5ma
3.0ma
2.5ma
2.0ma
1.5ma
1.0ma
0.5ma
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
00.50.40.1 0.30.2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25˚C
I
C
/i
B
=10 20
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat
)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
012108264
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE
=2V
Ta=25˚C
根基 电流 i
B
(
毫安
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=20
25˚C
–25˚C
Ta=75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=–25˚C
25˚C
75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0
600
500
400
300
200
100
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
V
CE
=2V
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –3 –10 –30 –100
0
200
150
50
125
175
100
25
75
V
CB
=6V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
50
40
30
20
10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)