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资料编号:953406
 
资料名称:2SD1366
 
文件大小: 31K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2SD1366
3
0
0.4
0.8
1.2
50
包围的 温度 ta (
°
c)
最大 集电级 消耗 曲线
100 150
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
(在 这 alumina 陶瓷的 板)
0
200
800
600
400
1,000
0.4
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
典型 输出 特性
0.8 1.2 1.4 1.6
1 毫安
I
B
= 0
2
3
4
5
6
7
1
3
300
100
30
10
1,000
0.20
根基 至 发射级 电压 v
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
典型 转移 特性
0.4 0.6 0.8 1.0
V
CE
= 2 v
ta = 75
°
C 25
°
C
5
10
20
1,000
200
500
100
50
5,000
2,000
31
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 电流 转移 比率 h
FE
直流 电流 转移 比率
vs. 集电级 电流
10 30 100 300 1,000
V
CE
= 2 v
ta = 75
°
C
25
°
C
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