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资料编号:953421
 
资料名称:2SD1975A
 
文件大小: 54K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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电源 晶体管 2sd1975,2SD1975A
P
C
—Ta I
C
—V
CE
I
C
—V
V
ce(sat)
—I
C
h
FE
—I
C
f
T
—I
C
C
ob
—V
CB
范围 的 safe 运作 (aso)
0 16040 12080 14020 10060
0
200
150
50
100
(1) t
C
=Ta
(2) 和 一个 100
×
100
×
2mm
al 热温 下沉
(3) 没有 热温 下沉
(p
C
=3.5w)
(1)
(3)
(2)
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012108264
0
24
20
16
12
8
4
I
B
=1000mA
T
C
=25˚C
800mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
04132
0
24
20
16
12
8
4
V
CE
=5V
T
C
=–25˚C
25˚C
100˚C
根基 至 发射级 电压 v
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C
/i
B
=10
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=5V
25˚C
–25˚C
T
C
=100˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
1 10 100 10003 30 300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
非 repetitive 脉冲波
T
C
=25˚C
t=10ms
100ms
直流
I
CP
I
C
2SD1975
2SD1975A
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
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