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晶体管 2SD1991A
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
B
— v
是
I
C
— v
是
I
C
— i
B
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
0 16040 12080 14020 10060
0
500
400
300
200
100
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
0108264
0
60
50
40
30
20
10
Ta=25˚C
I
B
=160
µ
一个
40
µ
一个
20
µ
一个
60
µ
一个
80
µ
一个
140
µ
一个
120
µ
一个
100
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
01.00.80.2 0.60.4
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CE
=10V
Ta=25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
02.01.60.4 1.20.8
0
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
Ta=75˚C
–25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 1000800200 600400
0
240
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
Ta=25˚C
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
25˚C
–25˚C
Ta=75˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
0.1 1 10 100 1000
0
1000
800
600
400
200
V
CE
=5V
Ta=125˚C
75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
300
240
120
180
60
V
CB
=10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)