晶体管
1
2SD1994A
硅 npn 外延的 planer 类型
为 低-频率 电源 放大器 和 驱动器 放大器
complementary 至 2sb1322a
■
特性
•
低 集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
•
输出 的 2 w 至 3 w 是 得到 和 一个 complementary 一双 和
2SB1322A
•
准许 供应 和 这 放射状的 taping
■
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5V
顶峰 集电级 电流 I
CP
1.5 一个
集电级 电流 I
C
1A
集电级 电源 消耗
*
P
C
1W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
=
20 v, i
E
=
0 0.1
µ
一个
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
=
10
µ
一个, i
E
=
060V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
=
2 毫安, i
B
=
050V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
I
E
=
10
µ
一个, i
C
=
05V
向前 电流 转移 比率
*
1
h
FE1
*
2
V
CE
=
10 v, i
C
=
500 毫安 85 340
h
FE2
V
CE
=
5 v, i
C
=
1 一个 50 100
集电级 至 发射级 饱和 电压
*
1
V
ce(sat)
I
C
=
500 毫安, i
B
=
50 毫安 0.2 0.4 V
根基 至 发射级 饱和 电压
*
1
V
是(sat)
I
C
=
500 毫安, i
B
=
50 毫安 0.85 1.2 V
转变 频率
*
1
f
T
V
CB
=
10 v, i
E
=
−
50 毫安, f
=
200 mhz 200 MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
=
10 v, i
E
=
0
, f
=
1 mhz 11 20 pF
■
电的 特性
T
一个
=
25
°
C
±
3
°
C
单位: mm
2.5
±
0.1
4.5
±
0.114.5
±
0.5
2.5
±
0.5 2.5
±
0.5
2.5
±
0.1
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05 (1.45)
4.00.7 0.8
0.15
0.5
0.21.01.0
0.65 最大值
0.45
+
0.1
−
0.05
0.45
+
0.1
−
0.05
321
1.2
±
0.1
0.65
最大值
0.45
0.1
0.05
+
−
(hw 类型)
便条) 在增加 至 这
含铅的 类型 显示 在
这 upper 图示,
这 类型 作 显示
在 这 更小的 图示
是 也 有.
1: 发射级
2: 集电级
3: 根基
mt2 类型 包装
分级 Q R S 非-分级
h
FE1
85 至 170 120 至 240 170 至 340 85 至 340
便条)
*
1: 脉冲波 度量
*
2: 分级 分类
产品 的 非-分级 是 不 classified 和 有 非 indication 为 分级.
便条)
*
: 打印 电路 板: 铜 foil 范围 的 1 cm
2
或者 更多, 和 这
板 厚度 的 1.7 mm 为 这 集电级 portion
: 点此下载
