2SD1994A 晶体管
2
P
C
T
一个
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
ce(sat)
I
C
V
是(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
是
0 16040 12080 14020 10060
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
铜 加设护板 在 这 集电级
是 更多 比 1 cm
2
在 范围,
1.7 mm 在 厚度
包围的 温度 t
一个
(
°
C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0
01024 86
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
9 毫安
8 毫安
7 毫安
6 毫安
5 毫安
4 毫安
3 毫安
2 毫安
1 毫安
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
I
B
=
10 毫安
T
一个
=
25
°
C
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
012210486
根基 电流 i
B
(
毫安
)
V
CE
=
10 v
T
一个
=
25
°
C
集电级 电流
I
C
(
一个
)
0.001
0.003
0.01 0.03
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.1 0.3 1 3 10
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
−
25
°
C
T
一个
=
100
°
C
0.01
0.03
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.1 0.3 1 3 10
根基 至 发射级 饱和 电压
V
是(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
I
C
/
I
B
=
10
T
一个
=
−
25
°
C
25
°
C
100
°
C
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0
100
200
300
500
400
T
一个
=
100
°
C
25
°
C
−
25
°
C
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
=
10 v
集电级 电流 i
C
(
一个
)
−
1
−
3
−
10
−
30
−
100
−
2
−
20
−
5
−
50
0
40
80
120
200
160
20
60
100
180
140
转变 频率 f
T
(
MHz
)
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
V
CB
=
10 v
T
一个
=
25
°
C
0
1
60
50
40
30
20
10
3 10 30 100
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
I
E
=
0
f
=
1 mhz
T
一个
=
25
°
C
0.1 0.3 1 3 10 30 100
0
120
100
80
60
40
20
集电级 至 发射级 电压 v
CER
(
V
)
根基 至 发射级 阻抗 r
是
(
k
Ω
)
I
C
=
10 毫安
T
一个
=
25
°
C
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