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资料编号:953435
 
资料名称:2SD476AK
 
文件大小: 32K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2sd476(k), 2sd476a(k)
2
电的 特性
(ta = 25°c)
2sd476(k) 2sd476a(k)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
70 70 V I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
50 60 V I
C
= 50 毫安, r
=
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5——5——VI
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
——1 ——1
µ
AV
CB
= 50 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
60 200 60 200 V
CE
= 4 v, i
C
= 1 一个
(脉冲波 测试)
h
FE2
35 35 V
CE
= 4 v, i
C
= 0.1 一个
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
1.0 1.0 V I
C
= 2 一个, i
B
= 0.2 一个
根基 至 发射级
饱和 电压
V
是(sat)
1.2 1.2 V
增益 带宽 产品 f
T
7 7 MHz V
CE
= 4 v, i
C
= 0.5 一个
转变 在 时间 t
0.3 0.3
µ
sV
CC
= 10.5 v
转变 止 时间 t
3.0 3.0
µ
sI
C
= 10 i
B1
= –10 i
B2
=
存储 时间 t
stg
2.5 2.5
µ
s 0.5 一个
便条: 1. 这 2sd476(k) 和 2sd476a(k) 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
BC
60 至 120 100 至 200
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(
°
c)
集电级 电源 消耗 pc (w)
20
60
40
最大 集电级 消耗 曲线
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
(10 v, 4 一个)
(20 v, 2 一个)
(50 v, 0.22 一个)
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
1 2 5 10 20 50 100
范围 的 safe 运作
直流
运作
I
C
最大值
T
C
= 25
°
C
P
C
= 40 w
2SD476 K
2SD476A
(60 v, 0.15 一个)
K
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