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资料编号:953471
 
资料名称:2SJ479S
 
文件大小: 38K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2sj479(l), 2sj479(s)
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–30 V I
D
= –10ma, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
20——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
零 门 voltege 流
电流
I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –30 v, v
GS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
16v, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.0 V I
D
= –1ma, v
DS
= –10v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
2535m
I
D
= –15a, v
GS
= –10v
Note3
阻抗 R
ds(在)
4060m
I
D
= –15a, v
GS
= –4v
Note3
向前 转移 admittance |y
fs
| 1220—S I
D
= –15a, v
DS
= –10v
Note3
输入 电容 Ciss 1700 pF V
DS
= –10v
输出 电容 Coss 950 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 260 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
20 ns V
GS
= –10v, i
D
= –15a
上升 时间 t
r
290 ns R
L
= 0.67
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
170 ns
下降 时间 t
f
130 ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
–1.1 V I
F
= –30a, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
70 ns I
F
= –30a, v
GS
= 0
dif/ dt = 50a/
µ
s
便条: 3. 脉冲波 测试
看 典型的 曲线 的 2sj471
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