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资料编号:953471
 
资料名称:2SJ479S
 
文件大小: 38K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sj479(l), 2sj479(s)
4
主要的 特性
100
75
50
25
0
50 100 150 200
–500
–200
–100
–20
–50
–10
–2
–5
–1
–0.5
–0.1 –0.3 –1
–3
–10
–30
–100
1 ms
ta = 25
°
C
100
µ
s
pw = 10 ms (1shot)
直流 运作 (tc = 25
°
c)
10
µ
s
频道 消耗 pch (w)
情况 温度 tc (
°
c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
maximun safe 运作 范围
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
µ
100
µ
1 m 10 m
100 m 1 10
DM
P
PW
T
d =
PW
T
ch – c(t) = s (t) • ch – c
ch – c = 2.5
°
c/w, tc = 25
°
C
θ γ θ
θ
tc = 25
°
C
d = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot 脉冲波
脉冲波 宽度 pw (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
normalized 瞬时 thermao 阻抗
s (t)
γ
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