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资料编号:953484
 
资料名称:2SJ517
 
文件大小: 43K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ517
2
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
–20 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
10 V
流 电流 I
D
–2 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
Note1
–4 一个
身体-流 二极管 反转 流 电流 I
DR
–2 一个
频道 消耗 Pch
Note2
1W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
便条: 1. PW
100
µ
s, 职责 循环
10 %
2. 当 使用 aluminium 陶瓷的 板 (12.5 x 20 x 0.7 mm)
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压 V
(br)dss
–20 V I
D
= –10ma, v
GS
= 0
门 至 源 损坏 电压 V
(br)gss
±
10——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
零 门 voltege 流 电流 I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –20 v, v
GS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
8v, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–0.5 –1.5 V I
D
= –1ma, v
DS
= –10v
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗
R
ds(在)
0.18 0.24
I
D
= –1a, v
GS
= –4v
Note3
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗
R
ds(在)
0.27 0.43
I
D
= –1a, v
GS
= –2.5v
Note3
向前 转移 admittance |y
fs
| 1.8 3.0 S I
D
= –1a, v
DS
= –10v
Note3
输入 电容 Ciss 320 pF V
DS
= –10v
输出 电容 Coss 190 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 90 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
14 ns I
D
= –1a, r
L
= 10
上升 时间 t
r
75 ns V
GS
= –4v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—90—ns
下降 时间 t
f
—90—ns
body–drain 二极管 向前 电压 V
DF
–0.95 V I
F
= –2a, v
GS
= 0
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
70 ns I
F
= –2a, v
GS
= 0
dif/ dt =50a/
µ
s
便条: 3. 脉冲波 测试
4. 标记 是 “yy”.
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