mb 高 电压 序列
2
公告 i27177 03/03
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T
J
接合面 温度 范围 - 55 至 150
o
C
T
stg
存储 温度 范围 - 55 至 150
o
C
R
thJC
最大值 热的 阻抗 接合面 至 情况 1.7 1.35 k/w 每 桥
R
thCS
最大值 热的 阻抗, 情况 至 散热器 0.2 k/w 挂载 表面 , 平整的, flat 和 greased
wt 近似的 重量 20 g
T 挂载 torque
±
10% 2.0 Nm 桥 至 散热器
热的 和 机械的 规格
电压 V
RRM
, 最大 repetitive V
RSM
, 最大 非- I
RRM
最大值
类型号码 代号 顶峰 反转 电压 repetitive 顶峰 rev. 电压
@ t
J
最大值
VVmA
26mb..一个 140 1400 1500 2
36mb..一个 160 1600 1700
电的 规格
电压 比率
参数 26mb-一个 36mb-一个 单位 情况
I
O
最大 直流 输出 电流 25 35 一个 resistive 或者 inductive 加载
20 28 一个 电容的 加载
@ 情况 温度 65 60 °C
I
FSM
最大 顶峰, 一个-循环 400 475 一个 t = 10ms 非 电压
非-repetitive 向前 电流 420 500 t = 8.3ms reapplied
335 400 t = 10ms 100% v
RRM
350 420 t = 8.3ms reapplied 最初的 t
J
= t
J
最大值
I
2
t 最大 i
2
t 为 fusing 790 1130 一个
2
s t = 10ms 非 电压
725 1030 t = 8.3ms reapplied
560 800 t = 10ms 100% v
RRM
512 730 t = 8.3ms reapplied
I
2
√
t 最大 i
2
√
t 为 fusing 5.6 11.3 KA
2
√
sI
2
t 为 时间 t
x
= i
2
√
t x
√
t
x
;
0.1
≤
t
x
≤
10ms, v
RRM
= 0v
V
f(至)1
低-水平的 的 门槛 电压 0.70 0.74 V (16.7% x
π
x i
f(av)
< i <
π
x i
f(av)
), @ t
J
最大值
V
f(至)2
高-水平的 的 门槛 电压 0.75 0.79 (i >
π
x i
f(av)
), @ t
J
最大值
r
t1
低-水平的 向前 斜度 阻抗 7.0 5.5 m
Ω
(16.7% x
π
x i
f(av)
< i <
π
x i
f(av)
), @ t
J
最大值
r
t2
高-水平的 向前 斜度 阻抗 6.4 5.2 (i >
π
x i
f(av)
), @ t
J
最大值
V
FM
最大 向前 电压 漏出 1.25 1.3 V T
J
= 25
o
c, i
FM
= 40a
PK
(26mb)
T
J
= 25
o
c, i
FM
= 55a
PK
(36mb)
I
RRM
最大值 直流 反转 电流 10 10
µ
在
J
= 25
o
c, 每 二极管 在 v
RRM
V
INS
rms 分开 电压 根基 加设护板 2700 2700 V f = 50 hz, t = 1s
向前 传导
参数 26mb-一个 36mb-一个 单位 情况
tp = 400
µ
s