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资料编号:955578
 
资料名称:74ABTH16373BDL
 
文件大小: 86K
   
说明
 
介绍:
16-bit transparent latch 3-State
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
74ABT16373B
74ABTH16373B
16-位 transparent 获得 (3-状态)
2
1998 二月 27
16-位 transparent 获得
多样的 v
CC
和 地 管脚 降低 切换 噪音
电源-向上 3-状态
live 嵌入/extraction permitted
电源-向上 重置
3-状态 输出 缓存区
74abth16373b 包含 总线-支撑 数据 输入 这个
eliminate 这 需要 为 外部 拉-向上 电阻器 至 支撑 unused
输入
输出 能力: +64ma/–32ma
I
CCL
–19 毫安 最大
获得-向上 保护 超过 500ma 每 电子元件工业联合会 标准 17
静电释放 保护 超过 2000v 每 mil 标准 883 方法 3015
和 200v 每 机器 模型
描述
这 74abt16373b 高-效能 bicmos 设备 结合
低 静态的 和 动态 电源 消耗 和 高 速 和 高
输出 驱动.
这 74abt16373b 设备 是 一个 双 octal transparent 获得 结合
至 二 sets 的 第八 3-状态 输出 缓存区. 这 二 sections 的 这
设备 是 控制 independently 用 使能 (ne) 和 输出
使能 (noe
) 控制 门.
这 数据 在 各自 设置 的 d 输入 是 transferred 至 这 获得 输出
当 这 获得 使能 (ne) 输入 是 高. 这 获得 仍然是
transparent 至 这 数据 输入 当 ne 是 高, 和 stores 这 数据
那 是 呈现 一个 建制 时间 在之前 这 高-至-低 使能
转变.
这 3-状态 输出 缓存区 是 设计 至 驱动 heavily 承载
3-状态 buses, mos memories, 或者 mos 微处理器. 各自
起作用的-低 输出 使能 (noe
) 控制 第八 3-状态 缓存区
独立 的 这 获得 运作.
当 noe
是 低, 这 latched 或者 transparent 数据 呈现 在 这
输出. 当 noe
是 高, 这 输出 是 在 这 高-阻抗
“off” 状态, 这个 意思 它们 将 neither 驱动 也不 加载 这 总线.
二 选项 是 有, 74abt16373b 这个 做 不 有 这
总线-支撑 特性 和 74abth16373b 这个 包含 这
总线-支撑 特性.
管脚 配置
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32
31
30
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27
26
25
1OE
1Q0
1Q1
1Q2
1Q3
1Q4
1Q5
1Q6
1Q7
2Q0
2Q1
2Q3
V
CC
2Q4
V
CC
2Q2
2Q5
2Q7
2OE
2Q6
1E
1D0
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V
CC
2D4
V
CC
2D2
2D5
2D7
2E
2D6
SA00379
快 涉及 数据
标识 参数
情况
T
amb
= 25
°
c; 地 = 0v
典型 单位
t
PLH
t
PHL
传播 延迟
dn 至 qn
C
L
= 50pf; v
CC
= 5v
2.5
2.0
ns
C
输入 电容 V
I
= 0v 或者 v
CC
4 pF
C
输出
输出 电容 V
O
= 0v 或者 v
CC
; 3-状态 7 pF
I
CCZ
安静的 供应 电流
输出 无能; v
CC
= 5.5v 500
µ
一个
I
CCL
安静的 su ly 电流
输出 低; v
CC
= 5.5v 8 毫安
订货 信息
包装 温度 范围 外部 北 america 北 america dwg 号码
48-管脚 ssop 类型 iii –40
°
c 至 +85
°
C 74abt16373b dl bt16373b dl sot370-1
48-管脚 tssop 类型 ii –40
°
c 至 +85
°
C 74abt16373b dgg bt16373b dgg sot362-1
48-管脚 ssop 类型 iii –40
°
c 至 +85
°
C 74abth16373b dl bh16373b dl sot370-1
48-管脚 tssop 类型 ii –40
°
c 至 +85
°
C 74abth16373b dgg bh16373b dgg sot362-1
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