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资料编号:95631
 
资料名称:HCPL-817-00C
 
文件大小: 205.52K
   
说明
 
介绍:
Phototransistor Optocoupler High Density Mounting Type
 
 


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3
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25˚c)
存储 温度, t
S
–55˚c 至 +125˚c
运行 温度, t
一个
–30˚c 至 +100˚c
含铅的 焊盘 温度, 最大值 260˚c 为 10 s
(1.6 mm 在下 seating 平面)
平均 向前 电流, i
F
50 毫安
反转 输入 电压, v
R
6 v
输入 电源 消耗, p
I
70 mw
集电级 电流, i
C
50 毫安
集电级-发射级 电压, v
CEO
35 v
发射级-集电级 电压, v
ECO
6 v
集电级 电源 消耗 150 mw
总的 电源 消耗 200 mw
分开 电压, v
iso
(交流 为 1 分钟, r.h. = 40 ~ 60%) 5000 电压有效值
* ctr = x 100%
I
C
I
F
分级 mark ctr (%) 情况
L 50 ~ 100 I
F
= 5 毫安, v
CE
= 5 v, t
一个
= 25
°
C
一个 80 ~ 160
B 130 ~ 260
C 200 ~ 400
D 300 ~ 600
电的 规格 (t
一个
= 25˚c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
向前 电压 V
F
1.2 1.4 V I
F
= 20 毫安
反转 电流 I
R
––10
µ
AV
R
= 4 v
终端 电容 C
t
30 250 pF v = 0, f = 1 khz
集电级 dark 电流 I
CEO
100 nA V
CE
= 20 v
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
35––VI
C
= 0.1 毫安
发射级-集电级 损坏 电压 BV
ECO
6––VI
E
= 10
µ
一个
集电级 电流 I
C
2.5 30 毫安 I
F
= 5 毫安, v
CE
= 5 v,
*current 转移 比率 CTR 50 600 % R
=
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
0.1 0.2 V I
F
= 20 毫安, i
C
= 1 毫安
回馈 时间 (上升) t
r
–418
µ
sV
CC
= 2 v, i
C
= 2 毫安
回馈 时间 (下降) t
f
–318
µ
sR
L
= 100
截-止 频率 f
c
80 KHz V
CC
= 5 v, i
C
= 2 毫安
R
L
= 100
, –3 db
分开 阻抗 R
iso
5 x 10
10
1 x 10
11
直流 500 v
40 ~ 60% r.h.
floating 电容 C
f
0.6 1.0 pF v = 0, f = 1 mhz
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