记忆
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(8k x 16-位) 双 端口内存 高-速 cmos
7025E
08.15.02 rev 2
热的 阻抗
Θ
JC
-- 1.02 °c/w
运行 温度 范围 T
一个
-55 125
°
C
T
能
5. 7025e c
APACITANCE
P
ARAMETER
S
YMBOL
M
在
M
AX
U
NITS
输入 电容: v
在
= 0v
1
1. 有保证的 用 设计.
C
在
-- 5 pF
输出 电容: v
输出
= 0v
1
C
输出
-- 7 pF
T
能
6. 7025e 直流 e
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
(v
CC
= 5v ± 10%, t
一个
= -55
至
125
°
C
除非
否则
)
P
ARAMETER
S
YMBOL
S
UBGROUPS
M
在
M
AX
U
NITS
输入 泄漏 电流
1
1. vcc = 5.5v, vin = 地 至 vcc, cs = vih, vout = 0 至 vcc.
I
LI
1, 2, 3 -- ±10 µA
输出 泄漏 电流
2
2.
vcc=5.5v; vout = 地 至 vcc
I
LO
1, 2, 3 -- ±10 µA
备用物品 供应 电流, 两个都 端口 ttl 水平的 输入
-35
-45
I
CCSB
1, 2, 3
--
--
50
50
毫安
备用物品 供应 电流, 两个都 端口 cmos 水平的 输入
-35
-45
I
CCSB1
1, 2, 3
--
--
5
5
毫安
运行 供应 电流, 两个都 端口 起作用的
-35
-45
I
CCOP
1, 2, 3
--
--
320
280
毫安
运行 供应 电流, 一个 端口 起作用的, 一个 端口 备用物品
-35
-45
I
CCOP1
1, 2, 3
--
--
190
180
毫安
输入 低 电压
3
输入 高 电压
3.
vih 最大值 = vcc + 0.3v, vil 最小值 = -0.3v 或者 -1v 脉冲波 宽度 50 ns
V
IL
V
IH
1, 2, 3 --
2.2
0.8
--
V
输出 低 电压
4
输出 高 电压
4. V
CC
最小值, i
OL
= 4 毫安, i
OH
= -4 毫安.
V
OL
V
OH
1, 2, 3 --
2.4
0.4
--
V
T
能
4. 7025e r
ECOMMENDED
O
PERATING
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
S
YMBOL
M
在
M
AX
U
NITS
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