记忆
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(8k x 16-位) 双 端口内存 高-速 cmos
7025E
08.15.02 rev 2
碎片 选择 至 终止 的 写
1
-35
-45
t
SW
9, 10, 11
30
40
--
--
ns
地址 建制 时间
-35
-45
t
作
9, 10, 11
0
0
--
--
ns
写 脉冲波 宽度
-35
-45
t
WP
9, 10, 11
30
35
--
--
ns
写 恢复 时间
-35
-45
t
WR
9, 10, 11
0
0
--
--
ns
数据 有效的 至 终止 的 写
-35
-45
t
DW
9, 10, 11
25
25
--
--
ns
输出 高 z 时间
2,3
-35
-45
t
HZ
9, 10, 11
--
--
20
20
ns
数据 支撑 时间
-35
-45
t
DH
9, 10, 11
0
0
--
--
ns
写 选择 至 输出 在 高 z
2,3
-35
-45
t
WZ
9, 10, 11
--
--
20
20
ns
输出 起作用的 从 终止 的 写
2,3,4
-35
-45
t
OW
9, 10, 11
0
0
--
--
ns
sem 标记 写 至 读 时间
-35
-45
t
SWRD
10
10
--
--
ns
sem 标记 contention window
-35
-45
t
SPS
10
10
--
--
ns
1. 至 进入 内存, cs
= v
IL
, ub或者 lb= v
IL
, sem= v
IH
. 至 进入 semaphore, cs= v
在
和 sem= v
IL
. 也 情况 必须 是
有效的 为 这 全部 t
EW
时间.
2. 有保证的 用 设计.
3. 转变 是 量过的 ± 500 mv 从低 或者 高 阻抗 电压 和 加载.
4. 这 规格 为 t
DH
必须 是 符合 用 这 设备 供应 写 数据至 这 内存 下面 所有 运行 情况. 虽然 t
DH
和 t
DW
.
T
能
8. 7025e 交流 e
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
为
W
RITE
C
YCLE
(v
CC
= 5v ± 10%, v
SS
= 0v, t
一个
= -55
至
125
°
c)
P
ARAMETER
S
YMBOL
S
UBGROUPS
M
在
M
AX
U
NIT
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