额外的刺激 设备 模型 sum110n08-05
vishay siliconix
www.vishay.com 文档 号码: 70511
2
09-六月-04
规格 (t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况
Simulated
数据
量过的
数据
单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
3.1 v
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
>
5 v, v
GS
= 10 v
1197 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个 0.0038 0.0038
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 125°c 0.0063
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 200°c 0.0084
Ω
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 30 一个 109 S
向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 110 一个, v
GS
= 0 v 0.92 1 V
动态
b
输入 电容 C
iss
7663 7900
输出 电容 C
oss
936 950
反转 transfer 电容 C
rss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz
406 550
Pf
总的 门 承担
c
Q
g
139 145
门-源 承担
c
Q
gs
36 30
门-流 承担
c
Q
gd
V
DS
= 35 v, v
GS
= 10 v, i
D
= 110 一个
45 45
NC
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
88 25
上升 时间
c
t
r
110 200
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
130 65
下降 时间
c
t
f
V
DD
= 35 v, r
L
= 0.40
Ω
I
D
≅
110 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 2.5
Ω
149 165
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 85 一个, di/dt = 100 一个/
µ
s
55 80
Ns
注释:
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 subject 至 生产 测试.
c. 独立 的 operating 温度.
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