数据 薄板 s13895ej1v0ds
4
µ
µµ
µ
PD16875
绝对 最大 比率 (除非 否则 指定, t
一个
= 25
°
°°
°
c)
参数 标识 情况 比率 单位
输入 电压 V
在
−
0.3 至 +6 V
标记 电压 V
FLG
−
0.3 至 +6 V
标记 电流 I
FLG
50 毫安
输出 电压 V
输出
V
在
+0.3 V
直流 +0.5 (v
在
= v
CTL
= 5 v)
−
0.1 (v
在
= 0 v, v
输出
= 5 v)
输出 电流 I
输出
脉冲波 宽度
≤
单独的 100
µ
s 脉冲波
+3
一个
控制 输入 V
CTL
−
0.3 至 +6 V
总的 电源 消耗 P
D
300 mW
运行 温度 范围 T
一个
−
40 至 +85
°
C
接合面 温度
便条
T
CH
最大值
+150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150
°
C
便条
这个 产品 有 一个 内部的 热的 关闭 电路 (运行 温度: 150
°
c 或者 高等级的 典型值.)
推荐 运行 范围 (除非 否则 指定, t
一个
= 25
°
°°
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
输入 电压 V
在
+4 +5.5 V
运行 温度 范围 T
一个
0+70
°
C
电的 规格
直流 特性 (除非 否则 指定, v
在
= +5 v, t
一个
= +25
°
°°
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CTL
= v
在
(两个都 1 管脚 &放大; 4 管脚),
输出: 打开
15
µ
一个电流 消耗量 I
DD
V
CTL
= 0 v, 输出: 打开 100
µ
一个
输入 电压, 低 V
IL
ctl 管脚 1.0 V
输入 电压, 高 V
IH
ctl 管脚 2.0 V
V
CTL
= 0 v 0.01 1
µ
一个控制 输入 电流 I
CTL
V
CTL
= v
在
0.01 1
µ
一个
输出 场效应晶体管 在-阻抗 R
在
T
一个
= 0 至 +70
°
c,
I
输出
= 500 毫安
100 140 m
Ω
输出 泄漏 电流 I
o leak
10
µ
一个
overcurrent 探测器 门槛 I
TH
T
一个
= 0 至 +70
°
c0.60.91.25a
标记 输出 阻抗 R
在 f
I
L
= 10 毫安 10 25
Ω
标记 泄漏 电流 I
o leak f
V
标记
= 5 v 0.01 1
µ
一个
V
在
: 当 rising 2.2 2.5 2.8 V
V
在
: 当 下落 2.0 2.3 2.6 V
欠压 lockout 电路
运行 电压
V
UVLO
hysteresis 宽度 0.05 0.25 V
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