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产品 数据 薄板 rev. 05 — 10 二月 2005 7 的 15
飞利浦 半导体
74LVT125
3.3 v 四方形 缓存区; 3-状态
[1] 典型 值 是 在 v
CC
= 3.3 v 和 t
amb
=25
°
c.
12. 波形
t
PHZ
输出 使不能运转 时间 noe 至 ny V
CC
= 2.7 V - - 5.7 ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V 1.8 3.7 5.1 ns
t
PLZ
输出 使不能运转 时间 noe 至 ny V
CC
= 2.7 V - - 4.0 ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V 1.3 2.6 4.5 ns
表格 8: 动态 特性
…continued
地 = 0 v; t
r
=t
f
= 2.5 ns; c
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
; 为 测试 电路 看 图示 8.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
V
M
= 1.5 v.
V
OL
和 v
OH
是 典型 电压 输出 漏出 那 出现 和 这 输出 加载.
图 6. 传播 延迟 输入 (na) 至 输出 (ny)
V
M
= 1.5 v.
V
OL
和 v
OH
是 典型 电压 输出 漏出 那 出现 和 这 输出 加载.
图 7. 使能 和 使不能运转 时间 的 3-状态 输出
mnb072
na 输入
ny 输出
t
PLH
t
PHL
地
V
I
V
M
V
M
V
M
V
M
V
OH
V
OL
001aac475
t
PZL
ny 输出
ny 输出
noe 输入
V
OL
V
CC
V
OH
V
I
V
M
地
0 v
t
PLZ
t
PZH
t
PHZ
V
OL
+
0.3 v
V
OH
−
0.3 v
V
M
V
M