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资料编号:963160
 
资料名称:ADG729BRU
 
文件大小: 150K
   
说明
 
介绍:
CMOS, Low-Voltage, 2-Wire Serially-Controlled, Matrix Switches
 
 


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T
一个
= 25
C
V
SS
= 0v
V
DD
= 4.5v
V
DD
= 5.5v
V
DD
= 3.3v
V
DD
= 2.7v
V
D
或者 v
S
– 流 或者 源 电压 – v
在 阻抗 –
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12345
图示 2. 在 阻抗 作 一个 函数
的 v
D
(v
S
) 为 单独的 供应
电流
nA
0.12
0
0.08
0.04
0.00
0.04
0.08
0.12
1
2345
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
T
一个
= 25
C
I
D
(在)
I
S
(止)
I
D
(止)
V
D
(v
S
)
伏特
图示 5. 泄漏 电流 作 一个 func-
tion 的 v
D
(v
S
)
电流
nA
0.05
15
0.05
0.15
0.20
0.30
0.35
25
温度
C
0.25
0.10
0.00
35 45 55 65 75 85
V
DD
= 3v
V
SS
= 0v
I
D
(止)
I
D
(在)
I
S
(止)
图示 8. 泄漏 电流 作 一个 func-
tion 的 温度
典型 效能 特性
adg728/adg729
–7–rev. 0
V
D
或者 v
S
流 或者 源 电压
V
在 阻抗
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2345
40
C
+25
C
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
+85
C
图示 3. 在 阻抗 作 一个 函数
的 v
D
(v
S
) 为 不同的 温度,
单独的 供应
电流
nA
0.12
0
0.08
0.04
0.00
0.04
0.08
0.12
3.0
V
D
(v
S
)
伏特
2.52.01.51.00.5
V
DD
= 3v
V
SS
= 0v
T
一个
= 25
C
I
D
(在)
I
D
(止)
I
S
(止)
图示 6. 泄漏 电流 作 一个 func-
tion 的 v
D
(v
S
)
电流
一个
1
10k
10
1m
频率
Hz
100
100k 1M
V
DD
= 3v
V
DD
= 5v
T
一个
= 25
C
图示 9. 输入 电流 vs. 转变-
ing 频率
V
D
或者 v
S
流 或者 源 电压
V
在 阻抗
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
3.02.52.01.51.00.5
+25
C
40
C
+85
C
V
DD
= 3v
V
SS
= 0v
图示 4. 在 阻抗 作 一个 函数
的 v
D
(v
S
) 为 不同的 温度,
单独的 供应
电流
nA
0.05
15
0.05
0.15
0.20
0.30
0.35
25
温度
C
0.25
0.10
0.00
35 45 55 65 75 85
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
I
D
(在)
I
D
(止)
I
S
(止)
图示 7. 泄漏 电流 作 一个
函数 的 温度
电压
伏特
Q
INJ
pC
40
0
30
20
10
0
10
20
1
2345
T
一个
= 25
C
V
DD
= 3v
V
SS
= 0v
V
DD
= 5v
V
SS
= 0v
图示 10. 承担 injection vs. 源
电压
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