ad7811/ad7812
–11–rev. b
一个 例子 的 这 pseudo 差别的 scheme 使用 这 ad7811
是 显示 在 图示 6. 这 相关的 位 在 这 ad7811 控制
寄存器 是 设置 作 跟随 dif/
SGL
= 1, ch1 = ch2 = 0, i.e.,
V
IN1
pseudo 差别的 和 遵守 至 v
IN2
. 这 信号 是
应用 至 v
IN1
但是 在 这 pseudo 差别的 scheme 这 sam-
pling capacitor 是 连接 至 v
IN2
在 转换 和 不
agnd 作描述 在 这 转换器 运作 部分. 这个
输入 scheme 能 是 使用 至 除去 补偿 那 exist 在 一个 sys-
tem. 为 例子, 如果 一个 系统 had 一个 补偿 的 0.5 v 这 补偿
可以 是 应用 至 v
IN2
和 这 信号 应用 至 v
IN1
. 这个 有
这 效应 的 offsetting 这 输入 span 用 0.5 v. 它 是 仅有的 pos-
sible 至 补偿 这 输入 span 当 这 涉及 电压 是 较少
比 v
DD
–offset.
V
IN1
V
DD
/3
比较器
控制
逻辑
时钟
OSC
转换
阶段
V
补偿
抽样
电容
V
IN+
V
在
–
V
IN2
V
IN1
承担
REDISTRIBUTION
DAC
V
补偿
图示 6. pseudo 差别的 输入 scheme
当 使用 这 pseudo 差别的 输入 scheme 这 信号 在
V
IN2
必须 不 相异 用 更多 比 一个 1/2 lsb 在 这 变换器-
sion 处理. 如果 这 信号 在 v
IN2
varies 在 转换, 这
转换 结果 将 是 incorrect. 在 单独的-结束 模式 这
抽样 电容 是 总是 连接 至 agnd 在 con-
版本. 图示 7 显示 这 ad7811/ad7812 pseudo differen-
tial 输入 正在 使用 至 制造 一个 单极的 直流 电流 度量.
一个 sense 电阻 是 使用 至 转变 这 电流 至 一个 电压 和
这 电压 是 应用 至 这 差别的 输入 作 显示.
R
L
R
SENSE
ad7811/
AD7812
V
IN+
V
在
–
V
DD
图示 7. 直流 电流 度量 scheme
直流 acquisition 时间
这 模数转换器 开始 一个 新 acquisition 阶段 在 这 终止 的 一个 变换器-
sion 和 ends 在 这 下落 边缘 的 这
CONVST
信号. 在 这
终止 的 一个 转换 一个 安排好 时间 是 有关联的 和 这 sam-
pling 电路. 这个 安排好 时间 lasts 大概 100 ns. 这
相似物 信号 在 v
IN+
是 也 正在 acquired 在 这个 安排好
时间. 因此, 这 最小 acquisition 时间 需要 是
大概 100 ns.
图示 8 显示 这 相等的 charging 电路 为 这 抽样
电容 当 这 模数转换器 是 在 它的 acquisition 阶段. r2 repre-
sents 这 源 阻抗 的 一个 缓存区 放大器 或者 resistive
网络; r1 是 一个 内部的 多路调制器 阻抗, 和 c1 是 这
抽样 电容. 在 这 acquisition 阶段 这 抽样
电容 必须 是 charged 至 在里面 一个 1/2 lsb 的 它的 最终 值.
这 时间 它 takes 至 承担 这 抽样 电容 (t
承担
) 是
给 用 这 下列的 formula:
T
承担
= 7.6
×
(
R
2 + 125
Ω
)
×
3.5
pF
C1
3.5pf
V
IN+
R1
125
R2
抽样
电容
图示 8. 相等的 抽样 电路
为 小 值 的 源 阻抗, 这 安排好 时间 associ-
ated 和 这 抽样 电路 (100 ns) 是, 在 效应, 这 acquisi-
tion 时间 的 这 模数转换器. 为 例子, 和 一个 源 阻抗
(r2) 的 10
Ω
这 承担 时间 为 这 抽样 电容 是
大概 4 ns. 这承担 时间 变为 重大的 为
源 阻抗 的 2 k
Ω
和 更好.
交流 acquisition 时间
在 交流 产品 它 是 推荐 至 总是 缓存区 相似物
输入 信号. 这 源 阻抗 的 这 驱动 电路系统 必须
是 保持 作 低 作 可能 至 降低 这 acquisition 时间 的
这 模数转换器. 大 值 的 源 阻抗 将 导致 这 thd
至 降级 在 高 throughput 比率. 在 增加, 更好的 perfor-
mance 能 一般地 是 达到 用 使用 一个 外部 1 nf
电容 在 v
在
.
在-碎片 涉及
这 ad7811 和 ad7812 有 一个 在-碎片 2.5 v 涉及
电路. 这 图式 在 图示 9 显示 如何 这 涉及
电路 是 执行. 一个 1.23 v bandgap 涉及 是 gained 向上
至 提供 一个 2.5 v
±
2% 涉及 电压. 这 在-碎片 谈及-
ence 是 不 有 externally (sw2 是 打开). 一个 外部 谈及-
ence (1.2 v 至 v
DD
) 能 是 应用 在 这 v
REF
管脚. 不管怎样 在
顺序 至 使用 一个 外部 涉及 这 extref 位 在 这 con-
trol 寄存器 (位 0) 必须 第一 是 设置 至 一个 逻辑 1. 当EXTREF
是 设置 至 一个 逻辑 1 sw2 将 关闭, sw3 将 打开 和 这 放大器-
fier 将 电源 向下. 这个 将 减少 这 电流 消耗量
的 这 部分 用 关于 1 毫安. 它 是 可能 至 使用 二 不同的
涉及 电压 用 selecting 这 在-碎片 涉及 或者 外部
涉及.
7pF
2.5v
外部
电容
1.23v
V
REF
C
REF
AGND
SW3
SW2
SW1
图示 9. 在-碎片 涉及 电路系统
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