Am28F020 13
FLASHERASE
电的 擦掉 algorithm
这个 flash 记忆 设备 erases 这 全部 排列 在
并行的. 这 擦掉 时间 取决于 在 v
PP
, 温度,
和 号码 的 擦掉/程序 循环 在 这 设备. 在
一般, reprogramming 时间 增加 作 这 号码
的 擦掉/程序 循环 增加.
这 flasherase 电的 擦掉 algorithm 雇用 一个
interactive 关闭 循环 流动 至 同时发生地 擦掉 所有
位 在 这 排列. erasure begins 和 一个 读 的 这 mem-
ory 内容. 这 设备 是 erased 当 运输 从
这 工厂. 读 ffh 数据 从 这 设备 将
立即 是 followed 用 executing 这 flashrite pro-
gramming algorithm 和 这 适合的 数据 pattern.
应当 这 设备 是 目前 编写程序, 数据 其它
比 ffh 将 是 returned 从 地址 locations.
follow 这 flasherase algorithm. uniform 和 可依靠的
erasure 是 保证 用 第一 程序编制 所有 位 在 这
设备 至 它们的 charged 状态 (数据 = 00h). 这个 是
accomplished 使用 这 flashrite 程序编制
algorithm. erasure 然后 持续 和 一个 最初的 擦掉
运作. 擦掉 verification (数据 = ffh) begins 在
地址 0000h 和 持续 通过 这 排列 至 这
last 地址, 或者 直到 数据 其它 比 ffh 是
encountered. 如果 一个 字节 失败 至 核实, 这 设备 是
erased 又一次. 和 各自 擦掉 运作, 一个
增加 号码 的 字节 核实 至 这 erased 状态.
典型地, 设备 是 erased 在 较少 比 100 脉冲
(一个 第二). 擦掉 效率 将 是 改进 用
storing 这 地址 的 这 last 字节 那 失败 至 核实 在
一个 寄存器. 下列的 这 next 擦掉 运作,
verification 将 开始 在 这 贮存 地址 location. 一个
总的 的 1000 擦掉 脉冲 是 允许 每 reprogram
循环, 这个 corresponds 至 大概 10 秒
的 cumulative 擦掉 时间. 这 全部 sequence 的 擦掉
和 字节 verification 是 执行 和 高 电压
应用 至 这 v
PP
管脚. 图示 1 illustrates 这 电的
擦掉 algorithm.
表格 4. Flasherase
电的 擦掉 algorithm
注释:
1. 看 交流 和 直流 特性 为 值 的 v
PP
参数. 这 v
PP
电源 供应 能 是 hard-连线的 至 这 设备 或者
switchable. 当 v
PP
是 切换, v
PPL
将 是 地面, 非 连接 和 一个 电阻 系 至 地面, 或者 较少 比 v
CC
+ 2.0 v.
2. 擦掉 核实 是 执行 仅有的 之后 碎片 erasure. 一个 最终 读 对比 将 是 performed (optional) 之后 这 寄存器 是 写
和 这 读 command.
3. 这 擦掉 algorithm
必须 是 followed
至 确保 恰当的 和 可依靠的 运作 的 这 设备.
总线 行动 Command Comments
全部 记忆 必须 = 00h 在之前 erasure (便条 3)
便条:
使用 flashrite
程序编制 algorithm (图示 4) 为
程序编制.
备用物品
wait 为 v
PP
ramp 至 v
PPH
(便条 1)
initialize:
地址
plscnt (脉冲波 计数)
写
擦掉 建制 数据 = 20h
擦掉 数据 = 20h
备用物品 持续时间 的 擦掉 运作 (t
WHWH2
)
写 擦掉-核实 (便条 2)
地址 = 字节 至 核实
数据 = a0h
stops 擦掉 运作
备用物品 写 恢复 时间 在之前 读 = 6 µs
读 读 字节 至 核实 erasure
备用物品
对比 输出 至 ffh
increment 脉冲波 计数
写 重置 数据 = ffh, 重置 这 寄存器 为 读 行动
备用物品 wait 为 v
PP
ramp 至 v
PPL
(便条 1)
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