2 Am28F020
地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和
擦掉 行动. 为 系统 设计 simplification, 这
am28f020 是 设计 至 support 也 we# 或者 ce#
控制 写. 在 一个 系统 写 循环,
地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的 we# 或者
ce#, whichever occurs last. 数据 是 latched 在 这 rising
边缘 的 we# 或者 ce#, whichever occurs 第一. 至 使简化
discussion, 这 we# 管脚 是 使用 作 这 写 循环
控制 管脚 全部地 这 rest 的 这个 数据 薄板. 所有
建制 和 支撑 时间 是 和 遵守 至 这 we# 信号.
amd’s flash 技术 结合 年 的 非易失存储器
和 可擦可编程只读存储器 experience 至 生产 这 最高的 水平
的 质量, 可靠性, 和 费用 成效. 这
am28f020 用电气 erases 所有 位 同时发生地
使用 fowler-nordheim tunneling. 这 字节 是 pro-
grammed 一个 字节 在 一个 时间 使用 这 非易失存储器
程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
产品 选择 手册
块 图解
家族 part 号码
Am28F020
速 选项 (v
CC
= 5.0 v
±
10%)
-70 -90 -120 -150 -200
最大值 进入 时间 (ns) 70 90 120 150 200
CE
#
(e
#
) 进入 (ns) 70 90 120 150 200
OE
#
(g
#
) 进入 (ns) 35 35 50 55 55
14727f-1
擦掉
电压
转变
输入/输出
缓存区
数据 获得
y-gating
2,097,152
位
cell 矩阵变换
x-解码器
y-解码器
碎片 使能
输出 使能
逻辑
程序/擦掉
脉冲波 计时器
低 v
CC
探测器
Command
寄存器
WE#
CE#
OE#
A0–A17
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
地址获得
状态
控制
V
PP
至 排列
程序
电压
转变
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