AT1175
初步的 产品 信息
8-位 20msps cmosvideo 一个/d 转换器
2f, 非.10, prosperity rd. ii, science-based工业的 园区, hsinchu 300,台湾, r.o.c.
电话: 886-3-563-0878 www:
http://www.aimtron.com.tw
传真: 886-3-563-0879 email:
service@aimtron.com.tw
3
绝对 最大 比率 (在之外 这个 损坏 将 出现) 25
0
C
供应 电压
s
V
DD
…………………………………………...-0.5 至 +7.0 v
输入 电压
相似物 输入 ………………………………...agnd 至 v
DD
涉及 输入 电压 ………………….…agnd 至 v
DD
静电释放 susceptibility ………………………………
±
1,500v
温度
运行 温度 …………..…………-20 至 +70
0
C
接合面 温度 ………………………………175
0
C
含铅的 温度, (焊接 10 秒) ………..300
0
C
存储 温度 …………………...….-55 至 +125
0
C
电的 规格
T
一个
=+25
0
c, av
DD
=DV
DD
= v
DD
=+5.0v, agnd=dgnd=0.0v, v
RB
=1v 和 v
RT
=3v, fs=20 msps ,除非 否则 指定.
参数 测试 condiction 最小值 典型值 最大值 单位
决议 8 位
直流 精度(+25
0
c)
integral 非线性
差别的 非线性
零 规模 错误
全部 规模 错误
非 missing 代号
fs=20 msps,
V
在
=1.0v 至 3.0v
EZS
EFS
±
0.8
±
0.5
-10 -35 -60
0 45 60
有保证的
LSB
LSB
mV
mV
相似物 输入
输入 电压 范围
输入 偏差 电流
输入 阻抗
输入 电容
V
在
V
RB
V
RT
±
5.0
100 200
15
V
μ
一个
k
Ω
pF
涉及 输入
涉及 ladder 阻抗
涉及 电流
涉及 输入 电压
涉及 差别的
内部的 bias1
内部的 bias2 (v
RT
)
V
RT
至 v
RB
V
RT
- v
RB
=2.0v
V
RB
V
RT
V
RT
- v
RB
V
RB
V
RT
–V
RB
短的 v
RT
和 v
RTS
短的 v
RB
和 v
RBS
短的 v
RT
和 v
RTS
短的 v
RB
和 agnd
200 270 340
5.2 7.5 10.5
0.0 0.6 3.0
2.0 2.6 v
DD
1.0 - 5.0
0.55 0.60 0.65
1.9 2.0 2.1
2.25 2.39 2.53
Ω
毫安
V
V
V
V
V
V
动态 效能
信号-至-噪音 比率
fin=1.667mhz
fin=3.85mhz
spurious 自由 动态 范围
fin=1.667mhz
fin=3.85mhz
差别的 阶段
差别的 增益
fs=14.29 msps
fs=14.29 msps
ntsc 40 ire mod ramp
fs=14.3 msps
44 46
43
43 48
41 42
0.7
1.0
dB
dB
dB
dB
Degrees
%
数字的 输入
电压, 逻辑 高 4.0
V
DD
V
: 点此下载
