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资料编号:970367
 
资料名称:AT-41486
 
文件大小: 59K
   
说明
 
介绍:
Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor
 
 


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4-129
向上 至 6 ghz 低 噪音
Silicon␣ 双极 晶体管
技术的 数据
特性
低 噪音 图示:
1.4 db 典型 在 1.0␣ GHz
1.7 db 典型 在 2.0␣ GHz
高 有关联的 增益:
18.0 db 典型 在 1.0␣ GHz
13.0 db 典型 在 2.0␣ GHz
高 增益-带宽
产品:
8.0 ghz 典型 f
T
表面 挂载 塑料
包装
选项 有
[1]
在-41486
86 塑料 包装
便条:
1. 谈及 至 “tape-和-卷轴 包装 为
半导体 devices”.
描述
hewlett-packard’s 在-41486 是 一个
一般 目的 npn 双极
晶体管 那 提供 极好的
高 频率 效能. 这
在-41486 是 housed 在 一个 低 费用
表面 挂载 .085" 直径
塑料 包装. 这 4 micron
发射级-至-发射级 程度 使能
这个 晶体管 至 是 使用 在 许多
不同的 功能. 这 14 发射级
finger interdigitated geometry
产量 一个 intermediate sized
晶体管 和 阻抗 那
是 容易 至 相一致 为 低 噪音
和 moderate 电源 产品.
产品 包含 使用 在
无线的 系统 作 一个 lna, 增益
平台, 缓存区, 振荡器, 和
mixer. 一个 最佳的 噪音 相一致
near 50
在 900 mhz, 制造 这个
设备 容易 至 使用 作 一个 低 噪音
放大器.
这 在-41486 双极 晶体管 是
fabricated 使用 hewlett-packard’s
10 ghz f
T
自-排整齐-晶体管
(sat) 处理. 这 消逝 是 渗氮
钝化的 为 表面 保护.
极好的 设备 统一,
效能 和 可靠性 是
生产 用 这 使用 的 ion-
implantation, 自-排成直线
技巧, 和 金 metalization
在 这 fabrication 的 这个 设备.
1
4
3
2
发射级
根基
发射级
集电级
管脚 连接
5965-8928e
414
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