AT89C55
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电源 向下 模式
在 这 电源 向下 模式, 这 振荡器 是 stopped, 和 这
操作指南 那 invokes 电源 向下 是 这 last 操作指南
executed. 这 在-碎片 内存 和 特定的 函数 regis-
ters retain 它们的 值 直到 这 电源 向下 模式 是 termi-
nated. 这 仅有的 exit 从 电源 向下 是 一个 硬件 重置.
重置 redefines 这 sfrs 但是 做 不 改变 这 在-碎片
内存. 这 重置 应当 不 是 使活动 在之前 v
CC
是
restored 至 它的 正常的 运行 水平的 和 必须 是 使保持
起作用的 长 足够的 至 准许 这 振荡器 至 重新开始 和 sta-
bilize.
程序 记忆 锁 位
这 at89c55 有 三 锁 位 那 能 是 left unpro-
grammed (u) 或者 能 是 编写程序 (p) 至 获得 这 addi-
tional 特性 列表 在 这 下列的 表格.
当 锁 位 1 是 编写程序, 这 逻辑 水平的 在 这 ea
管脚
是 抽样 和 latched 在 重置. 如果 这 设备 是 pow-
ered 向上 没有 一个 重置, 这 获得 initializes 至 一个 随机的
值 和 holds 那 值 直到 重置 是 使活动. 这
latched 值 的 ea
必须 同意 和 这 电流 逻辑 水平的
在 那 管脚 在 顺序 为 这 设备 至 函数 合适的.
锁 位 保护 模式
程序编制 这 flash
这 at89c55 是 正常情况下 运输 和 这 在-碎片 flash
记忆 排列 在 这 erased 状态 (那 是, 内容 = ffh)
和 准备好 至 是 编写程序. 这 程序编制 接口
accepts 也 一个 高-电压 (12-volt) 或者 一个 低-电压
(v
CC
) 程序 使能 信号. 这 低 电压 程序编制
模式 提供 一个 便利的 方法 至 程序 这 at89c55
inside 这 用户’s 系统, 当 这 高-电压 程序-
ming 模式 是 兼容 和 常规的 第三 群
flash 或者 非易失存储器 programmers.
这 at89c55 是 运输 和 也 这 高-电压 或者
低-电压 程序编制 模式 使能. 这 各自的
顶-一侧 标记 和 设备 signature 代号 是 列表 在
下列的 表格.
这 at89c55 代号 记忆 排列 是 编写程序 字节-用-
字节 在 也 程序编制 模式.
至 程序 任何 非-
blank 字节 在 这 在-碎片 flash 记忆, 这 全部 记忆
必须 是 erased 使用 这 碎片 擦掉 模式.
程序编制 algorithm:
在之前 程序编制 这
at89c55, 这 地址, 数据 和 控制 信号 应当 是
设置 向上 符合 至 这 flash 程序编制 模式 表格 和
计算数量 9 和 10. 至 程序 这 at89c55, 引领 这 fol-
lowing 步伐:
1. 输入 这 desired 记忆 location 在 这 地址 线条.
2. 输入 这 适合的 数据 字节 在 这 数据 线条.
3. 活动 这 准确无误的 结合体 的 控制 信号.
4. raise ea
/v
PP
至 12v 为 这 高-电压 程序编制
模式.
5. 脉冲波 ale/prog
once 至 程序 一个 字节 在 这 flash
排列 或者 这 锁 位. 这 字节-写 循环 是 自-安排时间
和 典型地 takes 非 更多 比 1.5 ms. repeat 步伐
1 通过 5, changing 这 地址 和 数据 为 这
全部 排列 或者 直到 这 终止 的 这 物体 文件 是 reached.
程序 锁 位
LB1 LB2 LB3 保护 类型
1 U U U 非 程序 锁 特性.
2PUU
movc 说明 executed 从 外部 程序 记忆 是 无能 从 fetching 代号 字节
从 内部的 记忆, ea
是 抽样 和 latched 在 重置, 和 更远 程序编制 的 这 flash
记忆 是 无能.
3 P P U 一样 作 模式 2, 但是 核实 是 也 无能.
4 P P P 一样 作 模式 3, 但是 外部 执行 是 也 无能.
V
PP
= 12v V
PP
= 5v
顶-一侧 mark
AT89C55 AT89C55
xxxx xxxx-5
yyww yyww
Signature
(030h) = 1eh (030h) = 1eh
(031h) = 55h (031h) = 55h
(032h) = ffh (032h) = 05h
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