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资料编号:971233
 
资料名称:BC849B
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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zowie 技术 公司
典型的
电的 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出) (持续)
在 特性
直流 电流 增益
( i
C
= 2.0 毫安, v
CE
=
5.0 v )
集电级-发射级 饱和 电压
( i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 )
( i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安 )
根基-发射级 饱和 电压
( i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 )
( i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安 )
小-信号 典型的
电流-增益-带宽 产品
( i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 v, f=100 mh
Z
)
输出 电容
( v
CB
= 10 v, f=1.0 mh
Z
)
噪音 图示
( v
CE
= 5.0 vdc, i
C
= 0.2 毫安, r
S
= 2.0k ohms, f=1.0 kh
z, bw = 200
H
Z
)
标识
H
FE
V
CE
(sat)
V
(sat)
f
T
C
obo
N
F
单位
-
V
V
MH
Z
pF
dB
最小值
200
420
BC849B
BC849C
-
-
-
-
100
-
-
最大值
450
800
0.25
0.60
-
-
-
4.5
4.0
典型值
290
520
-
-
0.7
0.9
根基-发射级 电压
( i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0v )
( i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0v )
V
(在) mV
580
-
700
770
660
-
-
-
-
zowie 技术 corporationrev. : 0
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