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资料编号:971233
 
资料名称:BC849B
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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zowie 技术 公司
rev. : 0
zowie 技术 公司
bc849b,c
图示 1. normalized 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
图示 3. 集电级 饱和 区域 图示 4. 根基-发射级 温度 系数
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
h
FE
, normalized 直流 电流 增益
v, 电压 ( 伏特 )
I
B
, 根基 电流 ( 毫安 )
V
CE
, 集电级 发射级 电压 ( v )
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
图示 5. capacitances
V
R
, 反转 电压 ( 伏特 )
c, 电容 ( pf )
图示 6. 电流-增益-带宽 产品
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
t
T
, 电流-增益-带宽 产品(mh
Z
)
图示 2. "饱和" 和 "在" 电压
2.0
0.2 0.5 1.0 10 20
50
0.2
100
2.0 5.0
200
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 25
o
C
-55
o
c 至 +125
o
C
V
CE
= 10 v
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.5
0
0.2
0.4
0.1
0.3
0.2 0.5 1.0 10 20
50
2.0
10070
307.05.03.00.70.30.1
V
是(sat)
@
I
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@
I
C
/i
B
= 10
V
是(在)
@
V
CE
= 10 v
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0
10
0
20
0.1
0.4
0.8
I
C
= 10 毫安
I
C
= 20 毫安
I
C
= 50 毫安
I
C
= 100 毫安
I
C
= 200 毫安
1.6
1.2
2.0
2.8
2.4
0.2 1.0
10 100
1.0
VB
, 温度 系数 (mv /
o
c)
C
ib
C
ob
V
CE
= 10 v
10
0.4 0.6 1.0 10 20
1.0
2.0 6.0
40
7.0
5.0
3.0
2.0
0.8 4.0 8.0
80
100
200
300
400
60
20
40
30
0.7 1.0 10 202.0
50
307.05.03.00.5
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