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资料编号:971233
 
资料名称:BC849B
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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zowie 技术 公司
rev. : 0
zowie 技术 公司
bc849b,c
图示 7. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
图示 9. 集电级 饱和 区域 图示 10. 根基-发射级 温度 系数
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
v, 电压 ( 伏特 )
I
B
, 根基 电流 ( 毫安 )
V
CE
, 集电级 发射级 电压 ( v )
I
C
, 集电级 电流 ( 毫安 )
图示 8. "在" 电压
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 25
o
C
-55
o
c 至 +125
o
C
VB
为 v
V
CE
= 10 v
V
是(sat)
@
I
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@
I
C
/i
B
= 10
V
@
V
CE
= 5.0 v
I
C
= 10 毫安
I
C
= 20 毫安
I
C
= 50 毫安
I
C
= 100 毫安
I
C
= 200 毫安
-1.8
-1.4
-2.2
-3.0
-2.6
0.2 1.0
10 200
-1.0
VB
, 温度 系数 (mv /
o
c)
1.0
2.0
0.1 1.0
10 100
0.2
0.2
0.5
0.8
1.0
0.6
0.2
0.4
0.2 1.0
10 200
0
0.5 2.0 5.0
20 50 100
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0
10
0
20
0.1
0.4
0.8
0.05 0.2 0.5 2.0 5.0
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