2003 十一月 17 8
飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF1206
handbook, halfpage
02
(1)
(2)
(3)
(5)
(7)
3
V
GG
=
V
DS
(v)
I
D
(毫安)
8
40
0
32
6
24
16
8
MLE288
(4)
(6)
图.9 流 电流 作 一个 函数 的 门 1 (v
GG
)
和 流 供应 电压; 典型 值;
放大器 一个.
V
g2-s
= 4 v; T
j
=25
°
c; R
G1
= 150 k
Ω
(连接 至 V
GG
); 看 图.35.
(1) R
G1
=56k
Ω
.
(2) R
G1
=68k
Ω
.
(3) R
G1
=82k
Ω
.
(4) R
G1
=91k
Ω
.
(5) R
G1
= 100 k
Ω
.
(6) R
G1
= 120 k
Ω
.
(7) R
G1
= 150 k
Ω
.
handbook, halfpage
02
V
g2-s
(v)
I
D
(毫安)
46
20
0
16
12
8
4
MLE292
(1)
(4)
(5)
(3)
(2)
图.10 流 电流 作 一个 函数 的 门 2
电压; 典型 值; 放大器 一个.
V
DS
= 5 v; t
j
=25
°
c; r
G1
=91k
Ω
(连接 至 v
GG
); 看 图.35.
(1) V
GG
=5v.
(2) V
GG
= 4.5 v.
(3) V
GG
=4v.
(4) V
GG
= 3.5 v.
(5) V
GG
=3v.
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