飞利浦 半导体
buk6213-30a
trenchmos™ intermediate 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 22 九月 2003 2 的 13
9397 750 12028
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
3. 订货 信息
4. 限制的 值
[1] 电流 是 限制 用 电源 消耗 碎片 比率
[2] 持续的 电流 是 限制 用 bondwires.
表格 2: 订货 信息
类型 号码 包装
名字 描述 版本
buk6213-30a - 塑料 单独的-结束 表面 挂载 包装 SOT428
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) - 30 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) R
GS
=20k
Ω
-30v
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=10v;
图示 2 和 3
[1]
-64a
[2]
-55a
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=10v;图示 2
[1]
-45a
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s;
图示 3
- 257 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1 - 102 W
T
stg
存储 温度
−
55 +175
°
C
T
j
接合面 温度
−
55 +175
°
C
源-流 二极管
I
DR
反转 流 电流 (直流) T
mb
=25
°
C
[1]
-64a
[2]
-55a
I
DRM
顶峰 反转 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 257 一个
avalanche 强壮
E
ds(al)s
非-repetitive 流-源
avalanche 活力
unclamped inductive 加载; I
D
=55a;
V
DS
≤
30 v; v
GS
=10v;
R
GS
=50
Ω
; 开始 t
j
=25
°
C
- 267 mJ