飞利浦 半导体
buk75/7626-100b
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 11 april 2003 2 的 15
9397 750 11238
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3. 限制的 值
表格 2: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) - 100 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) R
GS
=20k
Ω
- 100 V
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=10v;
图示 2 和 3
-49a
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=10v;图示 2 -34a
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s;
图示 3
- 197 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1 - 157 W
T
stg
存储 温度
−
55 +175
°
C
T
j
接合面 温度
−
55 +175
°
C
源-流 二极管
I
DR
反转 流 电流 (直流) T
mb
=25
°
C - 49 一个
I
DRM
顶峰 反转 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 197 一个
avalanche 强壮
E
ds(al)s
非-repetitive 流-源 avalanche
活力
unclamped inductive 加载; i
D
=49a;
V
DS
≤
100 v; v
GS
=10v; r
GS
=50
Ω
;
开始 t
mb
=25
°
C
- 144 mJ