飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 buk7528-100a
标准 水平的 场效应晶体管 buk7628-100a
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); paramter v
GS
图.7. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(v
GS
); 情况: i
D
= 25 一个;
图.8. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
; 情况: v
DS
= 25 v; 参数 t
j
图.9. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
); 情况: v
DS
= 25 v
图.10. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 25 一个; v
GS
= 5 v
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0246810
vds/v
id/一个
5.5
6.5
9.010.0
vgs/v =
5.0
6.0
4.5
7.0
7.5
8.0
13.5
20.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
02468
vgs/v
id/一个
tj/c= 175
o
C
25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 20406080100
id/一个
gfs/s
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
5 25 45 65 85 105 125
id/一个
6.5
7.5
5.5
7.0
8.0
6.0
rds(在)/mohm
10.0
-100 0 100 200
0
0.5
1
1.5
2
30v trenchmos
tj / c
一个
15050-50
15
17
19
21
23
25
27
29
31
5 7 9 11 13 15
vgs/v
rds(在) ohm
march 2000 4 rev 1.000
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