7-1230
specifications cd4532bms
输入 电压 高 VIH vdd = 10v, voh > 9v, vol < 1v 1, 2 +25
o
c, +125
o
c,
-55
o
C
+7 - V
传播 延迟
e1 至 e0
e1 至 gs
TPHL1
TPLH1
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 110 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 85 ns
传播 延迟
e1 至 qm
dn 至 gs
TPHL2
TPLH2
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 170 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 125 ns
传播 延迟
dn 至 qm
TPLH3
TPHL3
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 220 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 160 ns
转变 时间 TTHL
TTLH
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 100 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 80 ns
输入 电容 CIN 任何 输入 1, 2 +25
o
C - 7.5 pF
注释:
1. 所有 电压 关联 至 设备 地.
2. 这 参数 列表 在 表格 3 是 控制 通过 设计 或者 处理 和 是 不 直接地 测试. 这些 参数 是 典型
在 最初的 设计 释放 和 在之上 设计 改变 这个 将 影响 这些 特性.
3. cl = 50pf, rl = 200k, 输入 tr, tf < 20ns.
表格 4. 邮递 irradiation 电的 效能 特性
参数 标识 情况 注释 温度
限制
UNITSMIN 最大值
供应 电流 IDD vdd = 20v, vin = vdd 或者 地 1, 4 +25
o
c-25
µ
一个
n 门槛 电压 VNTH vdd = 10v, iss = -10
µ
一个 1, 4 +25
o
C -2.8 -0.2 V
n 门槛 电压
Delta
∆
VTN vdd = 10v, iss = -10
µ
一个 1, 4 +25
o
c-
±
1V
p 门槛 电压 VTP vss = 0v, idd = 10
µ
一个 1, 4 +25
o
C 0.2 2.8 V
p 门槛 电压
Delta
∆
VTP vss = 0v, idd = 10
µ
一个 1, 4 +25
o
c-
±
1V
函数的 F vdd = 18v, vin = vdd 或者 地 1 +25
o
C voh >
vdd/2
vol <
vdd/2
V
vdd = 3v, vin = vdd 或者 地
传播 延迟 时间 TPHL
TPLH
vdd = 5v 1, 2, 3, 4 +25
o
C - 1.35 x
+25
o
C
限制
ns
注释: 1. 所有 电压 关联 至 设备 地.
2. cl = 50pf, rl = 200k, 输入 tr, tf < 20ns.
3. 看 表格 2 为 +25
o
c 限制.
4. 读 和 record
表格 5. 烧-在 和 生命 测试 delta 参数 +25
o
C
参数 标识 delta 限制
供应 电流 - msi-2 IDD
±
1.0
µ
一个
输出 电流 (下沉) IOL5
±
20% x 前-测试 读
输出 电流 (源) IOH5A
±
20% x 前-测试 读
表格 3. 电的 效能 特性 (持续)
参数 标识 情况 注释 温度
限制
UNITSMIN 最大值