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资料编号:977794
 
资料名称:CY7C1347F-133AC
 
文件大小: 423K
   
说明
 
介绍:
4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C1347F
文档 #: 38-05213 rev. *d 页 8 的 19
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度
.....................................
65
°
c 至 +150
°
C
包围的 温度 和
电源 应用
..................................................
55
°
c 至 +125
°
C
供应 电压 在 v
DD
相关的 至 地
.........
0.5v 至 +4.6v
直流 电压 应用 至 输出
在 高-z 状态
...........................................
0.5v 至 v
DD
+ 0.5v
直流 输入 电压
.......................................
0.5v 至 v
DD
+ 0.5v
电流 在 输出 (低)......................................... 20 毫安
静态的 释放 电压.......................................... > 2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流.................................................... > 200 毫安
运行 范围
范围
包围的
温度 V
DD
V
DDQ
Com’l 0°c 至 +70°c 3.3v
5%/+10% 2.5v
5%
至 v
DD
Ind’l –40°c 至 +85°c
电的 特性
在 这 运行 范围
[8, 9]
参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压 3.135 3.6 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 2.375 V
DD
V
V
OH
输出 高 电压 V
DDQ
= 3.3v, v
DD
= 最小值., i
OH
= –4.0 毫安 2.4 V
V
DDQ
= 2.5v, v
DD
= 最小值., i
OH
= –2.0 毫安 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 V
DDQ
= 3.3v, v
DD
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安 0.4 V
V
DDQ
= 2.5v, v
DD
= 最小值., i
OL
= 2.0 毫安 0.7 V
V
IH
输入 高 电压
[8]
V
DDQ
= 3.3v 2.0 V
DD
+ 0.3v V
V
DDQ
= 2.5v 1.7 V
DD
+ 0.3v V
V
IL
输入 低 电压
[8]
V
DDQ
= 3.3v –0.3 0.8 V
V
DDQ
= 2.5v –0.3 0.7 V
I
X
输入 加载 电流 ex-
cept zz 和 模式
V
I
V
DDQ
5 5
µ
一个
输入 电流 的 模式 输入 = v
SS
30
µ
一个
输入 = v
DDQ
5
µ
一个
输入 电流 的 zz 输入 = v
SS
5
µ
一个
输入 = v
DDQ
30
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏 电流
V
I
V
ddq,
输出 无能
5 5
µ
一个
I
DD
V
DD
运行 供应
电流
V
DD
= 最大值., i
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
4-ns 循环, 250 mhz 325 毫安
4.4-ns 循环, 225 mhz 290 毫安
5-ns 循环, 200 mhz 265 毫安
6-ns 循环, 166 mhz 240 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 225 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
current—ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
V
IH
或者 v
V
IL
f = f
最大值
= 1/t
CYC
4-ns 循环, 250 mhz 120 毫安
4.4-ns 循环, 225 mhz 115 毫安
5-ns 循环, 200 mhz 110 毫安
6-ns 循环, 166 mhz 100 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 90 毫安
I
SB2
自动 ce
电源-向下
current—cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
0.3v 或者 v
> v
DDQ
– 0.3v, f
= 0
所有 speeds 40 毫安
注释:
8. 越过: v
IH
(交流) < v
DD
+1.5v (脉冲波 宽度 较少 比 t
CYC
/2), undershoot: v
IL
(交流) > -2v (脉冲波 宽度 较少 比 t
CYC
/2).
9. T
电源-向上
: 假设 一个 直线的 ramp 从 0v 至 v
DD
(最小值.) 在里面 200ms. 在 这个 时间 v
IH
<V
DD
和 v
DDQ
<V
DD
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