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资料编号:979569
 
资料名称:DS0026
 
文件大小: 184K
   
说明
 
介绍:
Dual High-Speed MOS Driver
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 必需的,
联系 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 有效性 规格.
V
+
−V
差别的 电压 22V
输入 电流 100 毫安
输入 电压 (v
−V
) 5.5v
顶峰 输出 电流 1.5a
最大 电源 消耗
*
T
一个
=
25˚C 420mW
运行 温度 范围 0˚C +70˚C
存储 温度 范围 −65˚C +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 10 秒.) 300˚C
便条:
*
减额 N08E 包装 9.3 mw/˚c T
一个
在之上 25˚c.
θ
J
一个
=
107˚c/w
电的 特性
(注释 2, 3, 4)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
IH
逻辑 “1” 输入 电压 V
=
0V 2 1.5 V
I
IH
逻辑 “1” 输入 电流 V
−V
=
2.4v 10 15 毫安
V
IL
逻辑 “0” 输入 电压 V
=
0V 0.6 0.4 V
I
IL
逻辑 “0” 输入 电流 V
−V
=
0V −3 −10 µA
V
OL
逻辑 “1” 输出 电压 V
−V
=
2.4v, I
OL
=
1mA V
+0.7 V
+1.0 V
V
OH
逻辑 “0” 输出 电压 V
−V
=
0.4v, V
SS
V
+
+ 1.0v
I
OH
=
−1mA
V
+
1.0 V
+
−0.8 V
I
cc(在)
“ON” 供应 电流
(一个 一侧 在)
V
+
−V
=
20v, V
−V
=
2.4v
30 40 毫安
I
cc(止)
“OFF” 供应 电流 V
+
−V
=
20v,
V
−V
=
0V
10 100 µA
切换 特性
(t
一个
=
25˚c) (注释 5, 6)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
转变-在 延迟
(图示 1)
5 7.5 12 ns
(图示 2)
11 ns
t
转变-止 延迟
(图示 1)
12 15 ns
(图示 2)
13 ns
t
r
上升 时间
(图示 1),
(便条 5)
C
L
=
500 pF 15 18 ns
C
L
=
1000 pF 20 35 ns
(图示 2),
(便条 5)
C
L
=
500 pF 30 40 ns
C
L
=
1000 pF 36 50 ns
t
f
下降 时间
(图示 1),
(便条 5)
C
L
=
500 pF 12 16 ns
C
L
=
1000 pF 17 25 ns
(图示 2),
(便条 5)
C
L
=
500 pF 28 35 ns
C
L
=
1000 pF 31 40 ns
便条 1:
“Absolute 最大 Ratings” 那些 在之外 这个 安全 设备 不能 有保证的. 除了 “Operating 温度 Range” 它们
meant imply 设备 应当 运作 这些 限制. 表格 “Electrical 特性 提供 情况 真实的 设备 运作.
便条 2:
这些 规格 应用 V
+
−V
=
10V 20v, C
L
=
1000 pf, 温度 范围 0˚C +70˚C ds0026cn.
便条 3:
所有 电流 设备 管脚 显示 积极的, 输出 设备 管脚 负的, 所有 电压 关联 地面 除非 否则 指出. 所有 显示
最大值 或者 最小值 绝对 基准.
便条 4:
所有 典型 T
一个
=
25˚c.
便条 5:
上升 下降 时间 MOS 逻辑 水平; i.e., 上升 时间 转变 逻辑 “0” 逻辑 “1” 这个 电压 下降.
便条 6:
电流 瞬时 (作 1.5a) 通过 阻抗 内部的 interconnecting V
含铅的 输出 转变 状态
状态 呈现 负的 反馈 输入. 如果 外部 interconnecting 含铅的 驱动 电路 V
用电气 长, 或者 重大的 直流
阻抗, 减去 切换 回馈.
DS0026
www.国家的.com 2
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