2
www.fairchildsemi.com
fdz293p rev. c
fdz293p p-频道 2.5 v speci
fi
ed powertrench
®
bga 场效应晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压
–
20 v
V
GSS
门-源 电压
±
12 V
I
D
流 电流
–
持续的
(便条 1a)
–
4.6 一个
–
搏动
–
10
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.7 W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围
–
55 至 +150
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
72
°
c/w
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
B FDZ293P 7
”
8mm 3000 单位
电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流
–
源 损坏 电压 V
GS
= 0v, i
D
=
–
250
µ
一个
–
20 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
Coef
fi
cient
I
D
=
–
250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–
13 mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=
–
16v, v
GS
= 0v
–
1
µ
一个
I
GSS
门
–
身体 泄漏. V
GS
=
±
12v, v
DS
= 0v
±
100 nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
=
–
250
µ
一个
–
0.6
–
0.8
–
1.5 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 coef
fi
cient
I
D
=
–
250
µ
一个, 关联 至 25
°
C 3 mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流
–
源
在
–
阻抗
V
GS
=
–
4.5v, i
D
=
–
4.6a,
V
GS
=
–
2.5v, i
D
=
–
3.6a,
V
GS
=
–
4.5v, i
D
=
–
4.6a, t
J
= 125
°
C
36
58
47
46
72
65
m
Ω
I
d(在)
在
–
状态 流 电流 V
GS
=
–
4.5v, v
DS
=
–
5V
–
10 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
=
–
5v, i
D
=
–
4.6a 13 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
=
–
10v, v
GS
= 0v,
f = 1.0mhz
754 pF
C
oss
输出 电容 167 pF
C
rss
反转 转移 电容 92 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15mv, f = 1.0mhz 6
Ω
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
Tur n
–
在 延迟 时间 V
DD
=
–
10v, i
D
=
–
1a,
V
GS
=
–
4.5v, r
GEN
= 6
Ω
11 20 ns
t
r
Tur n
–
在 上升 时间 10 20 ns
t
d(止)
Tur n
–
止 延迟 时间 22 35 ns
t
f
Tur n
–
止 下降 时间 17 31 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
=
–
10v, i
D
=
–
4.6a,
V
GS
=
–
4.5v
7.5 11 nC
Q
gs
门
–
源 承担 1.5 nC
Q
gd
门
–
流 承担 2.0 nC