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资料编号:981785
 
资料名称:FDZ293P
 
文件大小: 376K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
 
 


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www.fairchildsemi.com
fdz293p rev. c
fdz293p p-频道 2.5 v speci
ed powertrench
®
bga 场效应晶体管
注释:
1. R
θ
JA
是 决定 和 这 设备 挂载 在 一个 1 在
2
2 oz. 铜 垫子 在 一个 1.5 x 1.5 在. 板 的 fr-4 material.
这 热的 阻抗 从 这 接合面 至 这 电路 板 一侧 的 这 焊盘 球, r
θ
JB
, 是 定义 为 涉及.
为 r
θ
JC
, 这 热的 涉及 要点 为 这 情况 是 定义 作 这 顶 表面 的 这 铜 碎片 运输车. r
θ
JC
R
θ
JB
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流
源 二极管 向前 电流
1.4 一个 I
S
V
SD
源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0v, i
S
=
1.4a
(便条 2)
0.7
1.2 V
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 I
F
=
4.6a,
d
如果
/d
t
= 100a/µs
17 nS
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 5 nC
一个) 72
˚
c/w 当
挂载 在 一个
1in2 垫子 的 2 oz
铜, 1.5
x
1.5
x 0.062
厚 pcb
b) 157
˚
c/w 当
挂载 在 一个
最小 垫子 的 2 oz
电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出 (持续)
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